Numéro de produit du fabricant:
NSVMUN2112T1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSVMUN2112T1G-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Inventaire:
12857421
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SOUMETTRE
NSVMUN2112T1G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
230 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-59
Numéro de produit de base
NSVMUN2112
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-NSVMUN2112T1G-OS
2832-NSVMUN2112T1GTR
ONSONSNSVMUN2112T1G
2832-NSVMUN2112T1G-488
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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