NSVB123JPDXV6T1G
Numéro de produit du fabricant:

NSVB123JPDXV6T1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NSVB123JPDXV6T1G-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventaire:

12859682
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SOUMETTRE

NSVB123JPDXV6T1G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
500mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NSVB12

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
ONSONSNSVB123JPDXV6T1G
2156-NSVB123JPDXV6T1G-ONTR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD10,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
3805
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD10,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD30,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD30,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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