Numéro de produit du fabricant:
NSBC114YDXV6T1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSBC114YDXV6T1-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventaire:
12925407
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SOUMETTRE
NSBC114YDXV6T1 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
500mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NSBC114
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
NSBC114YDXV6TOSTR
NSBC114YDXV6T1OS-DG
2156-NSBC114YDXV6T1
ONSONSNSBC114YDXV6T1
2156-NSBC114YDXV6T1-ONTR-DG
NSBC114YDXV6T1OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4982FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3035
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4982FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
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PRIX UNITAIRE
0.02
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PRIX UNITAIRE
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0.06
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