Numéro de produit du fabricant:
NSBC114EPDXVT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSBC114EPDXVT1G-DG
Description:
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventaire:
16000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12973747
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SOUMETTRE
NSBC114EPDXVT1G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
500mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NSBC114
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,323
Autres noms
2156-NSBC114EPDXVT1G
ONSONSNSBC114EPDXVT1G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
RN4985FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
RN4988FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
2SC164S_R1_00001
APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
