NSBA114TDXV6T1
Numéro de produit du fabricant:

NSBA114TDXV6T1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NSBA114TDXV6T1-DG

Description:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventaire:

12843776
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SOUMETTRE

NSBA114TDXV6T1 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
500mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NSBA114

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
EMB4T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
EMB4T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
DDA143TH-7
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2850
NUMÉRO DE PIÈCE
DDA143TH-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2911FE(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3975
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2911FE(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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