NJVMJD112T4G
Numéro de produit du fabricant:

NJVMJD112T4G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NJVMJD112T4G-DG

Description:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK

Inventaire:

2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12843125
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SOUMETTRE

NJVMJD112T4G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
20µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max
20 W
Fréquence - Transition
25MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Numéro de produit de base
NJVMJD112

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
488-NJVMJD112T4GCT
488-NJVMJD112T4GTR
NJVMJD112T4G-DG
2832-NJVMJD112T4GTR
488-NJVMJD112T4GDKR
2156-NJVMJD112T4G-OS
ONSONSNJVMJD112T4G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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