Numéro de produit du fabricant:
NJVMJD112G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NJVMJD112G-DG
Description:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventaire:
12840543
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SOUMETTRE
NJVMJD112G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
20µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max
1.75 W
Fréquence - Transition
25MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Numéro de produit de base
NJVMJD112
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
2832-NJVMJD112G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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