Numéro de produit du fabricant:
NDS8852H
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NDS8852H-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12859922
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SOUMETTRE
NDS8852H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
rds activé (max) @ id, vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
300pF @ 15V
Puissance - Max
1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
NDS885
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NDS8852HCT
NDS8852HTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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