NDPL180N10BG
Numéro de produit du fabricant:

NDPL180N10BG

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NDPL180N10BG-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

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SOUMETTRE

NDPL180N10BG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 15V, 50A
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6950 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
NDPL18

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TK100E08N1,S1X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
57
NUMÉRO DE PIÈCE
TK100E08N1,S1X-DG
PRIX UNITAIRE
1.64
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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