MJE200G
Numéro de produit du fabricant:

MJE200G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MJE200G-DG

Description:

TRANS NPN 40V 5A TO126
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126

Inventaire:

7148 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12849162
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SOUMETTRE

MJE200G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
45 @ 2A, 1V
Puissance - Max
15 W
Fréquence - Transition
65MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-225AA, TO-126-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-126
Numéro de produit de base
MJE200

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
2156-MJE200G-OS
MJE200GOS
ONSONSMJE200G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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