MJD44H11-1G
Numéro de produit du fabricant:

MJD44H11-1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MJD44H11-1G-DG

Description:

TRANS NPN 80V 8A IPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W Through Hole I-PAK

Inventaire:

12849282
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SOUMETTRE

MJD44H11-1G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
8 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 4A, 1V
Puissance - Max
1.75 W
Fréquence - Transition
85MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Numéro de produit de base
MJD44

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
75
Autres noms
MJD44H111G
2156-MJD44H11-1G-OS
ONSONSMJD44H11-1G
MJD44H11-1GOS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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