Numéro de produit du fabricant:
MJD31C1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MJD31C1G-DG
Description:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
Inventaire:
12854350
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SOUMETTRE
MJD31C1G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
10 @ 3A, 4V
Puissance - Max
1.56 W
Fréquence - Transition
3MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Numéro de produit de base
MJD31
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MJD31CT4G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2090
NUMÉRO DE PIÈCE
MJD31CT4G-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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