MJD117-1G
Numéro de produit du fabricant:

MJD117-1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MJD117-1G-DG

Description:

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK

Inventaire:

12854426
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SOUMETTRE

MJD117-1G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
20µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max
1.75 W
Fréquence - Transition
25MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Numéro de produit de base
MJD117

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
75
Autres noms
2156-MJD117-1G-OS
ONSONSMJD117-1G
MJD117-1G-DG
MJD117-1GOS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
MJD117T4G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2150
NUMÉRO DE PIÈCE
MJD117T4G-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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