Numéro de produit du fabricant:
MJD112-001
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MJD112-001-DG
Description:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventaire:
12851425
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SOUMETTRE
MJD112-001 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
20µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max
1.75 W
Fréquence - Transition
25MHz
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Numéro de produit de base
MJD11
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSMJD112-001
MJD112-001OS
2156-MJD112-001-ON
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MJD112-1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
153
NUMÉRO DE PIÈCE
MJD112-1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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