MGSF1N02LT1
Numéro de produit du fabricant:

MGSF1N02LT1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MGSF1N02LT1-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 20 V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaire:

12853789
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SOUMETTRE

MGSF1N02LT1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
750mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
MGSF1

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
MGSF1N02LT1OSTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SI2306BDS-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
14595
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2306BDS-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RUR020N02TL
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
9907
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
AO3424
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
4757
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.07
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
74229
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
349283
NUMÉRO DE PIÈCE
DMG2302U-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
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