KSB1116AGBU
Numéro de produit du fabricant:

KSB1116AGBU

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

KSB1116AGBU-DG

Description:

TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 120MHz 750 mW Through Hole TO-92-3

Inventaire:

12855475
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SOUMETTRE

KSB1116AGBU Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
750 mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
KSB11

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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