IRFW540ATM
Numéro de produit du fabricant:

IRFW540ATM

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFW540ATM-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12837139
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SOUMETTRE

IRFW540ATM Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1710 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFW5

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB30NF10T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
971
NUMÉRO DE PIÈCE
STB30NF10T4-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB27NQ10T,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
7068
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB27NQ10T,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
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