Numéro de produit du fabricant:
IRFP150A
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFP150A-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 193W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventaire:
12849378
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SOUMETTRE
IRFP150A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2270 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
193W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
IRFP150
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQA70N10
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
66
NUMÉRO DE PIÈCE
FQA70N10-DG
PRIX UNITAIRE
1.23
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E
FABRICANT
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
5608
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E-DG
PRIX UNITAIRE
3.29
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0
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