Numéro de produit du fabricant:
HUFA76609D3S
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUFA76609D3S-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12837904
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SOUMETTRE
HUFA76609D3S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
425 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
49W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
HUFA76
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,800
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR120NTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2710
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR120NTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.39
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.40
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