HUF76645P3
Numéro de produit du fabricant:

HUF76645P3

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF76645P3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12835654
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SOUMETTRE

HUF76645P3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
310W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
HUF76

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
400

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDP100N10
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2970
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP100N10-DG
PRIX UNITAIRE
1.72
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
291
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PRIX UNITAIRE
1.44
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1965
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.55
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PRIX UNITAIRE
1.06
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PRIX UNITAIRE
0.73
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