Numéro de produit du fabricant:
HUF76629D3ST
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF76629D3ST-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
17120 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839005
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
HUF76629D3ST Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1285 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
HUF76629
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
