Numéro de produit du fabricant:
HUF76609D3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF76609D3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
12930580
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SOUMETTRE
HUF76609D3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
425 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
49W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
HUF76
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLU120NPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
9600
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLU120NPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
TYPE DE SUBSTITUT
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