Numéro de produit du fabricant:
FQU10N20CTU
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQU10N20CTU-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 200 V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
1315 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846244
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SOUMETTRE
FQU10N20CTU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
FQU10N20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCU360N65S3R0
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1585
NUMÉRO DE PIÈCE
FCU360N65S3R0-DG
PRIX UNITAIRE
0.97
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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