Numéro de produit du fabricant:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQT1N80TF-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Inventaire:
12847036
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SOUMETTRE
FQT1N80TF-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
195 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-3
Emballage / Caisse
TO-261-3
Numéro de produit de base
FQT1N80
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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