Numéro de produit du fabricant:
FQPF7N65C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF7N65C-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12838327
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SOUMETTRE
FQPF7N65C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1245 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQPF7
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
488-FQPF7N65C
2156-FQPF7N65C-OS
ONSONSFQPF7N65C
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A65D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
40
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A65D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.61
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