Numéro de produit du fabricant:
FQPF4N25
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF4N25-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12836115
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SOUMETTRE
FQPF4N25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQPF4
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX051N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX051N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
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