Numéro de produit du fabricant:
FQPF10N20C
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF10N20C-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12847249
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SOUMETTRE
FQPF10N20C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQPF10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FQPF10N20CFS
FQPF10N20C-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF19N20C
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
783
NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF19N20C-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
429
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX100N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N20
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N20-DG
PRIX UNITAIRE
1.09
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