Numéro de produit du fabricant:
FQP6N15
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP6N15-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12850575
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SOUMETTRE
FQP6N15 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
270 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FQP6
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX080N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
246
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX080N25-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
