FQNL1N50BBU
Numéro de produit du fabricant:

FQNL1N50BBU

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQNL1N50BBU-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

12851387
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SOUMETTRE

FQNL1N50BBU Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
270mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9Ohm @ 135mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numéro de produit de base
FQNL1

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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