Numéro de produit du fabricant:
FQN1N60CBU
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQN1N60CBU-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12849900
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SOUMETTRE
FQN1N60CBU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
170 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta), 3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
FQN1
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQN1N60CTA
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
80002
NUMÉRO DE PIÈCE
FQN1N60CTA-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
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