Numéro de produit du fabricant:
FQI27N25TU-F085
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQI27N25TU-F085-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 417W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaire:
12850615
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SOUMETTRE
FQI27N25TU-F085 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FQI2
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
2832-FQI27N25TU-F085
FQI27N25TU_F085
FQI27N25TU_F085-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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