Numéro de produit du fabricant:
FQD6N60CTM-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQD6N60CTM-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12847846
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FQD6N60CTM-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
810 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD6N60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R2K1CEAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
10286
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
