Numéro de produit du fabricant:
FQD3N60CTM-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQD3N60CTM-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12849622
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SOUMETTRE
FQD3N60CTM-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
565 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD3N60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FQD3N60CTM_WSTR-DG
FQD3N60CTM_WSDKR-DG
FQD3N60CTMWS
FQD3N60CTM_WS
FQD3N60CTM_WSTR
2156-FQD3N60CTM-WSTR
FQD3N60CTM_WSCT-DG
FQD3N60CTM-WSCT
FQD3N60CTM-WSDKR
FQD3N60CTM_WSDKR
FQD3N60CTM-WSINACTIVE
FQD3N60CTM-WS-DG
FQD3N60CTM_WS-DG
FQD3N60CTM-WSTR
FQD3N60CTM_WSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD2N62K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2192
NUMÉRO DE PIÈCE
STD2N62K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
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PRIX UNITAIRE
0.23
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PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
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