FQD2N60CTM
Numéro de produit du fabricant:

FQD2N60CTM

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQD2N60CTM-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

12934284
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SOUMETTRE

FQD2N60CTM Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
235 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD2N60

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
FQD2N60CTMTR
FQD2N60CTMDKR
FQD2N60CTMCT
FQD2N60CTM-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
AOD2N60
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
26961
NUMÉRO DE PIÈCE
AOD2N60-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
AOD2N60A
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
2499
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.20
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