Numéro de produit du fabricant:
FQD2N100TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQD2N100TM-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12845820
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SOUMETTRE
FQD2N100TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
520 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD2N100
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FQD2N100TMTR
FQD2N100TM-DG
FQD2N100TMCT
ONSONSFQD2N100TM
2832-FQD2N100TM
2156-FQD2N100TM-OS
FQD2N100TMDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
