Numéro de produit du fabricant:
FQD1N80TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQD1N80TM-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12838579
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SOUMETTRE
FQD1N80TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
195 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD1N80
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2156-FQD1N80TM-OS
FQD1N80TM-DG
ONSONSFQD1N80TM
FQD1N80TMDKR
FQD1N80TMCT
FQD1N80TMTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD7NM80
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4929
NUMÉRO DE PIÈCE
STD7NM80-DG
PRIX UNITAIRE
1.69
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TYPE DE SUBSTITUT
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