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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
FQB65N06TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQB65N06TM-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12837782
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SOUMETTRE
FQB65N06TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2410 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
FQB65N06TM-DG
Fiches techniques
FQB65N06TM
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK7613-60E,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
3002
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK7613-60E,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.64
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1362
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PRIX UNITAIRE
0.81
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PRIX UNITAIRE
0.66
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PRIX UNITAIRE
0.99
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PRIX UNITAIRE
0.51
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