Numéro de produit du fabricant:
FQB1P50TM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQB1P50TM-DG
Description:
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Description détaillée:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12848731
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SOUMETTRE
FQB1P50TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB1P50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FQB1P50TM-DG
FQB1P50TMCT
FQB1P50TMTR
FQB1P50TMDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7933
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
TYPE DE SUBSTITUT
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