Numéro de produit du fabricant:
FQA55N10
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQA55N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12847522
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SOUMETTRE
FQA55N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2730 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA5
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E
FABRICANT
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
5608
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK1317-E-DG
PRIX UNITAIRE
3.29
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