Numéro de produit du fabricant:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQA13N50C-F109-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12838434
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SOUMETTRE
FQA13N50C-F109 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2055 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
218W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA13
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK39J60W,S1VQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
22
NUMÉRO DE PIÈCE
TK39J60W,S1VQ-DG
PRIX UNITAIRE
5.38
TYPE DE SUBSTITUT
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