Numéro de produit du fabricant:
FJV3112RMTF
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FJV3112RMTF-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
12835620
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SOUMETTRE
FJV3112RMTF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
40 V
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Numéro de produit de base
FJV311
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1413(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
115
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1413(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
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