Numéro de produit du fabricant:
FJN3314RTA
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FJN3314RTA-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12850203
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SOUMETTRE
FJN3314RTA Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
300 mW
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
FJN331
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
FJN3314RTATB
FJN3314RTACT
FJN3314RTA-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MMUN2233LT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
37448
NUMÉRO DE PIÈCE
MMUN2233LT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.01
TYPE DE SUBSTITUT
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