Numéro de produit du fabricant:
FDZ291P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDZ291P-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
Inventaire:
12849464
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDZ291P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1010 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
9-BGA (1.5x1.6)
Emballage / Caisse
9-VFBGA
Numéro de produit de base
FDZ29
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
FDZ291PTR
FDZ291PDKR
FDZ291PCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
AON6284A
MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
