Numéro de produit du fabricant:
FDS8935
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS8935-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12839461
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDS8935 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
80V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A
rds activé (max) @ id, vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
879pF @ 40V
Puissance - Max
1.6W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
FDS89
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS8935TR
FDS8935-DG
FDS8935CT
FDS8935DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
EFC4618R-P-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
