Numéro de produit du fabricant:
FDS86252
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS86252-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 150 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
7262 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12836816
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDS86252 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
955 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS86
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS86252-DG
FDS86252TR
FDS86252CT
FDS86252DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSL202SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
FDW262P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
FQPF16N25C
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
