Numéro de produit du fabricant:
FDS6900AS-G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS6900AS-G-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12959306
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SOUMETTRE
FDS6900AS-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®, SyncFET™
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.9A, 8.2A
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
600pF @ 15V
Puissance - Max
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
FDS69
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
488-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-G-488
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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