Numéro de produit du fabricant:
FDS6680S
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS6680S-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12836743
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDS6680S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2010 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS66
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7413ZTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2211
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF7413ZTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8714TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
26446
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF8714TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.21
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
FDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
FDMC0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP