Numéro de produit du fabricant:
FDS4465-G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS4465-G-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12997451
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SOUMETTRE
FDS4465-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8237 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2832-FDS4465-G-488
488-FDS4465-GTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK
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