Numéro de produit du fabricant:
FDS4435BZ-F085
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS4435BZ-F085-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12847205
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SOUMETTRE
FDS4435BZ-F085 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1845 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS4435
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS4435BZ-F085TR
FDS4435BZ_F085DKR
FDS4435BZ_F085
FDS4435BZ_F085CT
FDS4435BZ-F085CT
FDS4435BZ_F085-DG
FDS4435BZ_F085CT-DG
FDS4435BZ_F085TR-DG
FDS4435BZ-F085DKR
FDS4435BZ_F085DKR-DG
FDS4435BZ_F085TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3E075ATTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
10581
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3E075ATTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.26
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