Numéro de produit du fabricant:
FDS3680
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS3680-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12837209
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SOUMETTRE
FDS3680 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1735 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS36
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4100DY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
7295
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4100DY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
TYPE DE SUBSTITUT
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